Στο πρόσφατο συνέδριο China Flash Memory Summit (CFMS 2023), η Samsung παρουσίασε το όραμά της για τη μνήμη NAND Flash.
Κατά τη διάρκεια της ομιλίας του, με θέμα η «Η επανεξέλιξη της μνήμης flash και προς μια νέα εποχή» ο Kyungryun Kim, Αντιπρόεδρος της Samsung και Γενικός Διευθυντής του Ομίλου Προγραμματισμού Προϊόντων NAND, εξέφρασε την πεποίθηση ότι οι αποθηκευτικές μονάδες SSD χωρητικότητας 1 PB (Petabyte) θα διατεθούν εντός της επόμενης δεκαετίας (μία μονάδα αποθήκευσης 1 PB ισοδυναμεί με 1.024 TB).
Οι χωρητικότητες των πλέον σύγχρονων SSDs για απλούς χρήστες περιορίζονται επί του παρόντος στα 4TB ή και στα 8TB σε κάποιες περιπτώσεις (οι χωρητικότητες των solid state drives επιχειρησιακής κλάσης είναι σημαντικά μεγαλύτερες). Επομένως έχουμε ακόμα πολύ δρόμο να διανύσουμε για να δούμε εταιρείες όπως η Samsung να διαθέτουν στην αγορά αποθηκευτικές μονάδες 1 PB ή 1 PB+. Αν ρίξουμε μία ματιά σε αποθηκευτικές μονάδες που κάνουν χρήση μεγαλύτερου form factor και σε συσκευές αποθήκευσης που προορίζονται για χρήση σε επιχειρήσεις/κέντρα δεδομένων, πέρυσι η εταιρεία Nimbus Data ανακοίνωσε ότι θα προσφέρει αποθηκευτικές μονάδες 200 TB -ή και μονάδες SSD χωρητικότητας 400 TB- που κάνουν χρήση form factor 2,5”. Πρόσφατα επίσης, η εταιρεία Pure Storage ανακοίνωσε το «roadmap» που περιλαμβάνει SSD χωρητικότητας 300 TB.
Επιστρέφοντας στην ανακοίνωση της Samsung και στην παρουσίαση του Kyungryun Kim, ο τεχνολογικός γίγαντας από τη Ν. Κορέα επισήμανε την αύξηση της κατανάλωσης δεδομένων που οδηγεί στην ανάγκη για πολύ μεγαλύτερης χωρητικότητας συσκευές αποθήκευσης που παράλληλα είναι και σημαντικά ταχύτερες. Η αύξηση της κατανάλωσης/αποθήκευσης δεδομένων από το metaverse, την αυτόνομη οδήγηση και τη ρομποτική θα είναι τεράστια, είπε o Αντιπρόεδρος της Samsung και Γενικός Διευθυντής του Ομίλου Προγραμματισμού Προϊόντων NAND, Kyungryun Kim, και δεν πρέπει να ξεχνάμε ότι μέρος της εξίσωσης είναι και το Διαδίκτυο των πραγμάτων (IoT, Internet of Things) και η συνεχής εξάπλωση των έξυπνων συσκευών.
Στο CFMS 2023, η Kim εξήγησε ότι για να συμβαδίσει με τη ζήτηση για μονάδες όλο και μεγαλύτερης χωρητικότητας για αποθήκευση δεδομένων, η Samsung υποχρεώθηκε να ενισχύσει τις προσπάθειες της σε πολλά μέτωπα. «Η τεχνολογία φυσικής κλιμάκωσης, η τεχνολογία λογικής κλιμάκωσης και η τεχνολογία συσκευασίας των chips μνήμης 3D NAND αλλάζουν» είπε.
Στο εγγύς μέλλον, η Samsung πρόκειται να κάνει περισσότερα για να ενισχύσει την ευρεία υιοθέτηση της τεχνολογίας QLC (Quad-Level Cell) για να προσφέρει βελτιωμένη πυκνότητα, ελαχιστοποιώντας παράλληλα τα όποια μειονεκτήματα «μέσω της εξυπνότερης χρήσης της τεχνολογίας QLC». Θα θέλαμε να μάθουμε πως η Samsung κατάφερε να ξεπεράσει τους όποιους περιορισμούς, δεδομένης της χαμηλότερης απόδοσης και της όχι και τόσο καλής φήμης της συγκεκριμένης τεχνολογίας NAND flash, ωστόσο ενδέχεται ο Kyungryun Kim να μην ήθελε να μοιραστεί σχετικές πληροφορίες με τους ανταγωνιστές της. Αν και η τεχνολογία QLC δεν προσφέρει την υψηλότερη απόδοση, και η τεχνολογία έχει ορισμένα μειονεκτήματα, εντούτοις Με τα ζητήματα που παρουσιάζει η τεχνολογία QLC, είναι δύσκολο να φανταστούμε ότι οι τεχνολογίες P(enta)LC, H(exa)LC ή ακόμα και O(cta)LC θα μπορούσαν να γίνουν mainstream μέσα σε μια δεκαετία. Η απάντηση ενδεχομένως βρίσκεται εν μέρει στη τεχνολογία φυσικής κλιμάκωσης και ακόμη περισσότερο στην αναμενόμενη πρόοδο στα υλικά και στις αναπτυσσόμενες τεχνολογίες.
