Η Samsung μόλις ανακοίνωσε τις κορυφαίες μονάδες DDR5, που στοχεύουν μέχρι στιγμής στις απαιτήσεις των εφαρμογών επόμενης γενιάς διακομιστών. Ο OEM ισχυρίζεται ότι αξιοποιεί τις προδιαγραφές προτύπου JEDEC της νέας RAM (που περιλαμβάνουν διπλασιασμό της απόδοσης του (τυπικού) DDR4 για να φτάσει σε κορυφαίο ρυθμό μεταφοράς δεδομένων 6.400 megatransfers ανά δευτερόλεπτο (MT/s)) για την παραγωγή τελικού προϊόντος ικανό να φτάσει ταχύτητες 7.200 megabits ανά δευτερόλεπτο (Mb/s).
Ωστόσο, ο γίγαντας της Νότιας Κορέας σχεδιάζεται τώρα να έχει έναν αναπτυξιακό χάρτη πορείας που ξεκινά με μια άμεση αντικατάσταση αυτού του νέου κορυφαίου προτύπου, προχωρώντας σε βήματα όπως το αντίστοιχό του χαμηλής κατανάλωσης για να καταλήξει σε μια νέα «τελική μορφή» γνωστή ως GDDR7 .
Κατά συνέπεια, το πρώτο στάδιο σε αυτό το ταξίδι είναι (σχεδόν αναπόφευκτα) να γίνει γνωστό ως DDR6. Τώρα σχεδιάζεται να προσφέρει 2 φορές βελτιώσεις σε πολλές διαδεδομένες προδιαγραφές DDR5, την τυπική κορυφαία ταχύτητα ρολογιού με εντολή JEDEC, τον αριθμό τραπεζών μνήμης και τον αριθμό καναλιών 16-bit που περιλαμβάνονται. Αντίστοιχα, αυτή η επερχόμενη DRAM της Samsung μπορεί να είναι ικανή έως και 12.800 MT/s, να έχει 64 τράπεζες και να είναι τετρακαναλική από προεπιλογή.
Επιπλέον, καθώς το overclocked DDR5 αναμένεται επί του παρόντος να φτάσει τα 8.400 MT/s, ο διάδοχός του λέγεται τώρα ότι θα επιτύχει τουλάχιστον 17.000 MT/s υπό παρόμοιες συνθήκες. Η Samsung πιστεύεται επίσης τώρα ότι τρέχει μπροστά με ό,τι θα ακολουθήσει και μετά, με σχέδια όχι μόνο για επιλογές χαμηλής κατανάλωσης, αλλά για μια ενδιάμεση γενιά GDDR6+.
[su_button url=”https://itechnews.gr/2020/04/itechnews-gr-tora-pia-episima-kai-sta-google/” target=”blank” style=”bubbles” background=”#5d9e17″ color=”#ffffff” size=”10″ wide=”yes” center=”yes” radius=”20″ icon=”https://itechnews.gr/wp-content/uploads/2021/08/google_news.jpg” icon_color=”#060606″ text_shadow=”2px 2px 2px #000000″ rel=”lightbox”]Ακολουθήστε το iTechNews.gr στο Google News! Παρακολουθήστε τα τελευταία νέα, τάσεις, αξεσουάρ και παρουσιάσεις[/su_button]
Το πρώτο από αυτά – το LPDDR6 – ενδέχεται να μην βελτιωθεί στις τρέχουσες προβλεπόμενες προδιαγραφές με το LPDDR5 (6.400 MT/s το πολύ) ή ακόμα και το LPDDR5X (με δυνατότητα για ~8.500 MT/s) τόσο όσο προσφέρει προηγμένη απόδοση ισχύος.
Δεν είναι γνωστά πολλά για το GDDR6+ με βεβαιότητα σε αυτό το σημείο, αν και αναμένεται να οδηγήσει τους χρήστες με παρόμοια κέρδη ως τυπικά της τάξης των 24.000 MT/s, με βάση ένα “1z-nanometer” επόμενης γενιάς (nm, πιθανώς ένα εξέλιξη από την υπάρχουσα μέθοδο παραγωγής 10nm EUV της Samsung) μέχρι να φτάσει εδώ η απόλυτη σημαντική αναβάθμιση, το GDDR7.
Αυτή η γενιά φέρεται τώρα να προορίζεται για ταχύτητες έως και 32.000 MT/s. Προβλέπεται επίσης ότι θα ενσωματώσει κάτι που ονομάζεται «λειτουργία προστασίας σφαλμάτων σε πραγματικό χρόνο», ενώ το DDR5 της Samsung διαθέτει τεχνολογία «διόρθωσης σφαλμάτων on-die».
[signoff]
